Московская компания «Крокус Наноэлектроника»*, дочерняя структура «Роснано», объявила о выпуске чипов энергонезависимой резистивной памяти, созданных на базе технологического процесса 55 нм. В разработке участвовала китайская компания Shanghai Huali Microelectronics Corporation (HLMC).

Резистивная память (ReRAM) — одна из разновидностей энергонезависимой памяти, позволяющей сохранять данные при отсутствии питания.

Первые образцы имеют объем памяти 1 Мбит. В краткосрочной перспективе могут быть масштабированы вплоть до 128 Мбит. Выпущенные чипы демонстрируют энергопотребление при операциях чтения и записи на уровне передовых мировых технологий энергонезависимой памяти.

Первым продуктом с новой микросхемой памяти, который планируется к выпуску, является чип UHF RFID, используемый, в частности, для маркировки товаров при складском учете.

Выпущенные по данной технологии микросхемы имеют высокую плотность и исключительно низкое энергопотребление. Для питания чип может использовать лишь энергию, получаемую с антенны RFID. Чип способен получать и передавать информацию стандартному считывающему устройству на расстоянии более 5 м. Готовое решение будет поставлено в следующем году.

В дальнейшем производитель собирается ориентировать свои чипы на такие рынки, как системы искусственного интеллекта в составе беспилотных автомобилей, систем промышленной электроники и мобильных устройств. Энергоэффективность памяти ReRAM делает реальным выпуск автономных приложений искусственного интеллекта, работающих от батарейки.

Одним из дополнительных преимуществ технологии является устойчивость этих чипов к воздействию неблагоприятных условий, в том числе высоких температур. Это создает дополнительные перспективы ее применения в высоконадежной электронике, включая медицинскую технику.

* «Крокус Наноэлектроника» (CNE) является единственным в России предприятием, способным серийно выпускать энергонезависимую память нового поколения. Производственные мощности компании развернуты в комплексе Технополис «Москва» (бывшая территория автозавода АЗЛК «Москвич»). Здесь запущено BEOL (back-end-of-line) — производство электронных компонентов на пластинах 300 мм с проектными нормами до 55 нм.