Компания Samsung Electronics на состоявшейся 12 марта в Шанхае конференции производителей полупроводниковой продукции (CSTIC) рассказала о своих планах по налаживанию полномасштабного производства чипов по технологии 7 нм уже в следующем году.
Вице-президент компании по технологиям Хо-Ку Кэн (Ho-Kyu Kang) в своем выступлении отметил, что производители микро чипов могут столкнуться с трудностями при переходе на технологические нормы менее 10 нм. В частности, для новых микросхем тяжело будет добиться приемлемого показателя выхода годных. Решение этой проблемы г-н Кэн видит в технологии GAA FET, которую Samsung планирует использовать для производства 7- (и даже 5-нм!) чипов. Также предполагается использовать потенциально очень перспективную технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV lithography).
7-нм чипы будут использоваться в таких высокотехнологичных приложениях, как графические процессоры, искусственный интеллект и системы содействия вождению автомобиля. Что касается технологии 5 нм, то ее запуск в производство начнется не ранее 2020 г.
Впрочем, Samsung не единственная, кто стремится освоить новую технологи. Напомним, что проектную норму 7 нм уже осваивают и другие производители, такие, как TSMC и MediaTek .
Кроме того, Samsung представила производственный узел, спроектированный специально для выпуска 28-нм транзисторов для применения в устройствах Интернета вещей. Это, безусловно, попытка экспансии на новый, но очень перспективный китайский рынок компаний, не имеющих собственного производства, занимающихся только дизайном и разработкой в сфере Интернета вещей. Продвигаемая Samsung технология FD-SOI является более дешевой альтернативой технологии FinFET, которая сейчас доступна в основном только крупным производителям электроники.