Компания Toshiba Memory Europe (TME) объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса SCM* (Storage Class Memory,) — XL-FLASH™. Оно создано на основе собственной инновационной технологии TME (3D-флэш-памяти BiCS FLASH™ с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC)) и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность.
Решение XL-FLASH - это энергонезависимая память, она сохраняет содержимое аналогично флэш-памяти NAND и по параметру производительность находится между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы высокопроизводительных приложений, но это связано с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет получить экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флэш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных.
Занимая нишу между DRAM и флэш-памятью NAND, решение XL-FLASH обеспечивает рост быстродействия, снижение задержки и увеличение объемов устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью.
XL-FLASH будет первоначально выпускаться в формате SSD, но впоследствии может быть реализована и в виде устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM, таких, как энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM), которые в будущем должны стать промышленным стандартом.
Основные особенности новой памяти:
• кристалл емкостью 128 гигабит (Гб) (модуль из 2, 4 или 8 кристаллов);
• размер страницы 4 КБ для повышения эффективности чтения и записи операционной системой;
• 16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы;
• низкое время чтения и программирования страниц: память XL-FLASH обладает низкой задержкой чтения — менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC (по сравнению с памятью NAND TLC компании Toshiba Memory Corporation, имеющей задержку чтения примерно 50 микросекунд).
Поставки ознакомительных образцов новой памяти начнутся в сентябре 2019 г., а начало серийного производства запланировано на 2020 г.
*IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств в 2022 г. до более чем 3 млрд долл. США.