Intel и Micron Technology* представили результат 10 лет исследований и разработок - созданную с нуля принципиально новую технологию памяти 3D XPoint™, которая впервые со времен выхода на рынок флэш-памяти NAND в 1989 г. может способствовать появлению качественно новых разработок в различных сферах.
3D XPoint™ – энергонезависимая память (данные не стираются после выключения устройства), отличающаяся высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до 1 тыс. раз быстрее и имеет примерно в 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.
Новая память способна существенно повысить скорость работы различных устройств, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. В частности, она позволит создать новую категорию устройств хранения данных по сравнению с устройствами на базе флэш-памяти NAND, появившейся почти 25 лет назад. Энергонезависимость и высокое быстродействие новой памяти позволяют использовать ее для различных приложений для длительного хранения данных с низкой задержкой.
Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.
Подробнее о технологии 3D XPoint...
* Micron Technology, Inc. является глобальным лидером в сфере производства полупроводниковых систем. Акции Micron торгуются на бирже NASDAQ (условное обозначение: MU). Сейчас компанию активно стремится купить полупроводниковая индустрия Китая .